ნახევარგამტარული შენადნობის JnPxAs1-x მიღების ხერხი
ნახევარგამტარული შენადნობის JnPxAs1-x მიღების ხერხი
= Method for Obtaining of Semiconductor Alloy InPxAs1-x : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 1998 1493 B : (51) C 30 B 29/40 (IPC, 2006) /
სერგო ლაითაძე, გიზი კეკელიძე, ლანდიშ ახვლედიანი, ნოდარ კეკელიძე.
- ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1998 09 25 # 11.
- გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 13 გვ. ; მუხლები: 1 დამოკიდებული; ფიგურა: 3.
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
ნახევარგამტარის მიღების ტექნოლოგიის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს კომპონენტების მოთავსებას ვაკუუმში და განსხვავებული ტემპერატურული არეების შექმნას. გარკვეული საფეხურობრივი ტემპერატურული ზემოქმედებით ხორციელდება სინთეზი, მიღებული მყარი ხსნარის გაწმენდა მინარევებისაგან და ჰომოგენიზაცია.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნიკა.
1493 ge B 1998-09-25 published Sakpatenti
ნახევარგამტარების ტექნიკა ნახევარგამტარები ნაერთი JnPxAs1-x
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
ნახევარგამტარის მიღების ტექნოლოგიის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს კომპონენტების მოთავსებას ვაკუუმში და განსხვავებული ტემპერატურული არეების შექმნას. გარკვეული საფეხურობრივი ტემპერატურული ზემოქმედებით ხორციელდება სინთეზი, მიღებული მყარი ხსნარის გაწმენდა მინარევებისაგან და ჰომოგენიზაცია.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნიკა.
1493 ge B 1998-09-25 published Sakpatenti
ნახევარგამტარების ტექნიკა ნახევარგამტარები ნაერთი JnPxAs1-x