National Science Library of Georgia

Image from Google Jackets

ნახევარგამტარული შენადნობის JnPxAs1-x მიღების ხერხი სერგო ლაითაძე, გიზი კეკელიძე, ლანდიშ ახვლედიანი, ნოდარ კეკელიძე.

Contributor(s): Material type: TextTextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1998 09 25 # 11Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 13 გვ. ; მუხლები: 1 დამოკიდებული; ფიგურა: 3Patent information: 1493 , B, 1998-09-25, published, SakpatentiOther title:
  • = Method for Obtaining of Semiconductor Alloy InPxAs1-x : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 1998 1493 B : (51) C 30 B 29/40 (IPC, 2006)
Subject(s): Other classification:
  • C30B29/40
Online resources: Summary: 1. ტექნიკური შედეგი ნახევარგამტარის მიღების ტექნოლოგიის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს კომპონენტების მოთავსებას ვაკუუმში და განსხვავებული ტემპერატურული არეების შექმნას. გარკვეული საფეხურობრივი ტემპერატურული ზემოქმედებით ხორციელდება სინთეზი, მიღებული მყარი ხსნარის გაწმენდა მინარევებისაგან და ჰომოგენიზაცია. 3. გამოყენების სფერო ნახევარგამტარების ტექნიკა.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Holdings
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
პატენტები პატენტები ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. C30B29/40 (Browse shelf(Opens below)) P 1998 1493 B Not for loan 2015-9046

- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.

1. ტექნიკური შედეგი
ნახევარგამტარის მიღების ტექნოლოგიის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს კომპონენტების მოთავსებას ვაკუუმში და განსხვავებული ტემპერატურული არეების შექმნას. გარკვეული საფეხურობრივი ტემპერატურული ზემოქმედებით ხორციელდება სინთეზი, მიღებული მყარი ხსნარის გაწმენდა მინარევებისაგან და ჰომოგენიზაცია.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნიკა.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Copyright © 2023 Sciencelib.ge All rights reserved.