National Science Library of Georgia

Superfast Fronts of Impact Ionization in Initially Unbiased Layered Semiconductor : (Record no. 813168)

MARC details
000 -ლიდერი
ფიქსირებული სიგრძის საკონტროლო ველი 00393nam a22000857a 4500
008 - ფიქსირებული სიგრძის მონაცემები--ზოგადი ცნობები
ფიქსირებული სიგრძის საკონტროლო ველი 250312s2001 nl ||||| |||| 00| 0 eng d
245 ## - ცნობა სათაურზე
სათაური Superfast Fronts of Impact Ionization in Initially Unbiased Layered Semiconductor :
ქვესათაური Raport MAS-ROI 10 July 2001 / Modelling, Analysis and Simmulation /
ცნობა პასუხისმგებლობის და ასშ შესახებ Structures P. B. Rodin.
264 ## - გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის ცნობები
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... ადგილი Amsterdam :
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... სახელწოდება S.a.,
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... თარიღი 2001.
653 ## - საკვანძო ტერმინი - არაკონტროლირებული
არაკონტროლირებადი ტერმინი – საკვანძო სიტყვები მათემატიკა
Holdings
ჩამოწერის სტატუსი დაკარგვის სტატუსი კლასიფიკაციის ან თაროზე გაწყობის წყარო დაზიანების სტატუსი არ გაიცემა ადგილმდებარეობა (ბიბლიოთეკა - შენახვის ადგილი) დროებითი ადგილმდებარეობა (ბიბლიოთეკა - შენახვის ადგილი) თაროზე განთავსების ადგილი შემოსვლის თარიღი Koha გაცემები (რამდენჯერ) ობიექტის მსაზღრელი (შტრიხკოდი) Koha ბოლო ოპერაციის დრო ეგზემპლარის მიმდევრობითი ნომერი (კეტერი?) ფასის დაფიქსირების თარიღი Koha დოკუმენტის სახეობა
  შესამოწმებელია Universal Decimal Classification     ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. 12.03.2025   2025-1327938 12.03.2025 3E20896 12.03.2025 წიგნი
Copyright © 2023 Sciencelib.ge All rights reserved.