ფოსფორით ლეგირებული სილიციუმის მონოკრისტალის მიღების ხერხი არსენ ეგიაზაროვი, გურამ ქარუმიძე, თამაზ აბზიანიძე.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2001 08 27 # 16Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვPatent information: 2520 , B, 2001-05-10, published, SakpatentiOther title: - = Method for Production of Silicum Monocrystal Alloyed by Phosphor : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2001 2520 B : (51) C 30 B 20/06 (IPC, 2006)
- C30B20/06;
- C30B29/06
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი | C30B20/06 (Browse shelf(Opens below)) | P 2001 2520 B | Not for loan | 2015-9029 |
Browsing ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 shelves, Shelving location: კორპ. 2, საცავი Close shelf browser (Hides shelf browser)
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
სტრუქტურული დეფექტებისა და საექსპლუატაციო ხარჯების შემცირება, ფოსფორის კონ-
ცენტრაციის გაზრდა.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს სილიციუმის ნეიტრონებით დასხივებას ატომურ რეაქტორში, შემ-
დგომ მიღებული მასალის თერმულ დამუშავებას, ამასთან გამოიყენება სილიციუმის მონოკრისტალი, რომელშიც სილიციუმის იზიტოპ-30-ის კონცენტრაცია შეადგენს
32%-100%-ს.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარული მასალების მიღების ტექნოლოგია.
There are no comments on this title.